casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC115TCA-7
codice articolo del costruttore | DDTC115TCA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTC115TCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC115TCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC115TCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC115TCA-7-FT |
BCR 108F E6327
Infineon Technologies
BCR 112F E6327
Infineon Technologies
BCR 114F E6327
Infineon Technologies
BCR 116F E6327
Infineon Technologies
BCR 119F E6327
Infineon Technologies
BCR 129F E6327
Infineon Technologies
BCR 133F B6327
Infineon Technologies
BCR 133F E6327
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BCR 135F E6327
Infineon Technologies
BCR 139F E6327
Infineon Technologies
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3CSG484C
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQG208I
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5SGXMA5K2F40I2LN
Intel
5SGXMA4K2F40I2N
Intel
XC6VLX130T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7N
Intel