casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 119F E6327
codice articolo del costruttore | BCR 119F E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 119F E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 119F E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSFP-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 119F E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 119F E6327-FT |
PDTC114TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC115EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC115TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123JMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC124EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC124TMB,315
Nexperia USA Inc.
EPF10K10ATC144-1
Intel
EP2C35U484C8N
Intel
10M16DCF484C7G
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel