casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC114WE-7
codice articolo del costruttore | DDTC114WE-7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DDTC114WE-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC114WE-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 24 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC114WE-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC114WE-7-FT |
DDTA144GCA-7
Diodes Incorporated
DDTA144TCA-7
Diodes Incorporated
DDTA144VCA-7
Diodes Incorporated
DDTA144WCA-7
Diodes Incorporated
DDTB122TC-7
Diodes Incorporated
DDTB142TC-7
Diodes Incorporated
DDTC115GCA-7
Diodes Incorporated
DDTC115TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC124ECA-7
Diodes Incorporated
DDTC124GCA-7
Diodes Incorporated
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel