casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC113ZE-7
codice articolo del costruttore | DDTC113ZE-7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DDTC113ZE-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC113ZE-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC113ZE-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC113ZE-7-FT |
DDTA143TCA-7
Diodes Incorporated
DDTA143XCA-7
Diodes Incorporated
DDTA143ZCA-7
Diodes Incorporated
DDTA144ECA-7
Diodes Incorporated
DDTA144GCA-7
Diodes Incorporated
DDTA144TCA-7
Diodes Incorporated
DDTA144VCA-7
Diodes Incorporated
DDTA144WCA-7
Diodes Incorporated
DDTB122TC-7
Diodes Incorporated
DDTB142TC-7
Diodes Incorporated
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
5SGXEB6R2F43C2N
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel