casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA143XCA-7
codice articolo del costruttore | DDTA143XCA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA143XCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA143XCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA143XCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA143XCA-7-FT |
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 185F E6327
Infineon Technologies
BCR 185L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 189L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 191L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 192L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 196L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 103F E6327
Infineon Technologies
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5CPG132C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
5SGXMA3E1H29C1N
Intel
EP2AGZ300FH29I3N
Intel
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
AGL060V2-CSG121
Microsemi Corporation