casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA143XCA-7
codice articolo del costruttore | DDTA143XCA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA143XCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA143XCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA143XCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA143XCA-7-FT |
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 185F E6327
Infineon Technologies
BCR 185L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 189L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 191L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 192L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 196L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 103F E6327
Infineon Technologies
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
U1AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-9FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4AI
Microchip Technology
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX330-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6M132C
Lattice Semiconductor Corporation