casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA122LE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTA122LE-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA122LE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA122LE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 220 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA122LE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA122LE-7-F-FT |
BCR 119T E6327
Infineon Technologies
BCR 129T E6327
Infineon Technologies
BCR 133T E6327
Infineon Technologies
BCR 135T E6327
Infineon Technologies
BCR 139T E6327
Infineon Technologies
BCR 141T E6327
Infineon Technologies
BCR 142T E6327
Infineon Technologies
BCR 146T E6327
Infineon Technologies
BCR 148T E6327
Infineon Technologies
BCR 149T E6327
Infineon Technologies
AGLN030V5-ZQNG68
Microsemi Corporation
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel