casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DD1274AS-H-5R6N=P3
codice articolo del costruttore | DD1274AS-H-5R6N=P3 |
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Numero di parte futuro | FT-DD1274AS-H-5R6N=P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DEM10050C |
DD1274AS-H-5R6N=P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 5.6µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 6.3A |
Corrente - Saturazione | 11.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 18.3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" (5.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD1274AS-H-5R6N=P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DD1274AS-H-5R6N=P3-FT |
DFE252010F-100M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-6R8M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-8R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-R82M=P2
Murata Electronics North America
1226AS-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel