casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252010F-R33M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252010F-R33M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252010F-R33M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010F |
DFE252010F-R33M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 330nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.8A |
Corrente - Saturazione | 7.6A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 21 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252010F-R33M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252010F-R33M=P2-FT |
1255AY-4R7M=P3
Murata Electronics North America
1264EY-101M=P3
Murata Electronics North America
1264EY-330M=P3
Murata Electronics North America
1255AY-1R8N=P3
Murata Electronics North America
1255AY-220M=P3
Murata Electronics North America
1255AY-330M=P3
Murata Electronics North America
1255AY-6R8M=P3
Murata Electronics North America
1264EY-150M=P3
Murata Electronics North America
1264EY-220M=P3
Murata Electronics North America
1264EY-2R2N=P3
Murata Electronics North America
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel