casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / DCX122TU-7-F
codice articolo del costruttore | DCX122TU-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DCX122TU-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DCX122TU-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 220 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DCX122TU-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DCX122TU-7-F-FT |
BCR198SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR198SH6827XTSA1
Infineon Technologies
BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR22PNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR22PNH6433XTMA1
Infineon Technologies
BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR35PNH6433XTMA1
Infineon Technologies
BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies
A42MX09-3PQG100
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2N
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10CX150YF672I5G
Intel
10M04SCE144C7G
Intel
XC5VLX330-2FF1760C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
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