casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / BCR35PNH6433XTMA1
codice articolo del costruttore | BCR35PNH6433XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR35PNH6433XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR35PNH6433XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR35PNH6433XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR35PNH6433XTMA1-FT |
PEMH20,115
Nexperia USA Inc.
PEMH24,115
Nexperia USA Inc.
PEMH30,115
Nexperia USA Inc.
PEMH30,315
Nexperia USA Inc.
PEMH4,115
Nexperia USA Inc.
PEMH7,115
Nexperia USA Inc.
PEMH9,315
Nexperia USA Inc.
PBLS1501V,115
Nexperia USA Inc.
PBLS1502V,115
NXP USA Inc.
PBLS1503V,115
NXP USA Inc.
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
EP4CE6F17I7
Intel
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel