casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DCG45X1200NA
codice articolo del costruttore | DCG45X1200NA |
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Numero di parte futuro | FT-DCG45X1200NA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DCG45X1200NA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 22A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DCG45X1200NA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DCG45X1200NA-FT |
APTDF400AA170G
Microsemi Corporation
APTDF400AA120G
Microsemi Corporation
APT60S20B2CTG
Microsemi Corporation
APT2X101S20J
Microsemi Corporation
APT2X61S20J
Microsemi Corporation
APT2X100D100J
Microsemi Corporation
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation
APT2X100D120J
Microsemi Corporation
APT2X20DC60J
Microsemi Corporation
APT2X21DC120J
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel