casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DCG45X1200NA
codice articolo del costruttore | DCG45X1200NA |
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Numero di parte futuro | FT-DCG45X1200NA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DCG45X1200NA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 22A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DCG45X1200NA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DCG45X1200NA-FT |
APTDF400AA170G
Microsemi Corporation
APTDF400AA120G
Microsemi Corporation
APT60S20B2CTG
Microsemi Corporation
APT2X101S20J
Microsemi Corporation
APT2X61S20J
Microsemi Corporation
APT2X100D100J
Microsemi Corporation
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation
APT2X100D120J
Microsemi Corporation
APT2X20DC60J
Microsemi Corporation
APT2X21DC120J
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel