casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBLS206G RDG
codice articolo del costruttore | DBLS206G RDG |
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Numero di parte futuro | FT-DBLS206G RDG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DBLS206G RDG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBLS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBLS206G RDG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBLS206G RDG-FT |
GBPC3510M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS101G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS101G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS101GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS101GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS102G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS102GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS102GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS103G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel