casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DB2X60300L
codice articolo del costruttore | DB2X60300L |
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Numero di parte futuro | FT-DB2X60300L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2X60300L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4.5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 14pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2X60300L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB2X60300L-FT |
MA21D3400L
Panasonic Electronic Components
MA21D380GL
Panasonic Electronic Components
MA27D270GL
Panasonic Electronic Components
MA27D290GL
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MA2S077G0L
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MA2S10100L
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MA2S1010GL
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MA2S11100L
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MA2S1110GL
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MA2S72800L
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A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel