casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DB2U30900L
codice articolo del costruttore | DB2U30900L |
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Numero di parte futuro | FT-DB2U30900L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2U30900L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 3pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-923 |
Pacchetto dispositivo fornitore | USSMINI2-F2-B |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2U30900L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB2U30900L-FT |
SCS304AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS320AJTLL
Rohm Semiconductor
RFUS20NS4STL
Rohm Semiconductor
RBQ30NS45BFHTL
Rohm Semiconductor
RFN10NS6STL
Rohm Semiconductor
RFN20NS6STL
Rohm Semiconductor
RFUH10NS4STL
Rohm Semiconductor
RFUH10NS6STL
Rohm Semiconductor
RFUH20NS6STL
Rohm Semiconductor
RF1501NS3STL
Rohm Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel