casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DB2F43100L1
codice articolo del costruttore | DB2F43100L1 |
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Numero di parte futuro | FT-DB2F43100L1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2F43100L1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 140pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0606 (1616 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DCSP1616010-N1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2F43100L1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB2F43100L1-FT |
MA2SD250GL
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MA2SD2900L
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MA2SD290GL
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XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel