casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MA2SD3100L
codice articolo del costruttore | MA2SD3100L |
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Numero di parte futuro | FT-MA2SD3100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA2SD3100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 470mV @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini2-F1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2SD3100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA2SD3100L-FT |
RB168VYM-40FHTR
Rohm Semiconductor
RBE1VAM20ATR
Rohm Semiconductor
RBE2VAM20ATR
Rohm Semiconductor
RSX051VYM30FHTR
Rohm Semiconductor
RSX101VAM30TR
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RSX201LAM30TR
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RSX201VYM30FHTR
Rohm Semiconductor
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RB021VAM90TR
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RB160VYM-40FHTR
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XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
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AGL250V2-VQG100I
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EP4SGX290NF45C2
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5SGXEB6R2F43I2LN
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5SGSMD5H3F35C2N
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LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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