casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DB106-G
codice articolo del costruttore | DB106-G |
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Numero di parte futuro | FT-DB106-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB106-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB106-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB106-G-FT |
DF1510M
Diodes Incorporated
T483A
Sensata-Crydom
M5060TB1400
Sensata-Crydom
M50100SB1200
Sensata-Crydom
M50100SB1600
Sensata-Crydom
M50100SB1000
Sensata-Crydom
M50100SB200
Sensata-Crydom
M50100SB800
Sensata-Crydom
EFE13C
Sensata-Crydom
EFE13F
Sensata-Crydom
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel