casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / M5060TB1400
codice articolo del costruttore | M5060TB1400 |
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Numero di parte futuro | FT-M5060TB1400 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M5060TB1400 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 50A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M5060TB1400 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M5060TB1400-FT |
GBJ801-F
Diodes Incorporated
GBJ806-F
Diodes Incorporated
GBJ2004-F
Diodes Incorporated
GBJ604-F
Diodes Incorporated
GBJ2002-F
Diodes Incorporated
GBJ2501-F
Diodes Incorporated
GBJ2008-F
Diodes Incorporated
GBJ15005-F
Diodes Incorporated
GBJ2510-F
Diodes Incorporated
GBJ6005-F
Diodes Incorporated
AX1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256I7
Intel
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-11FFG672I
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C5N
Intel