casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DB104-G
codice articolo del costruttore | DB104-G |
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Numero di parte futuro | FT-DB104-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB104-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB104-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB104-G-FT |
DF1508M
Diodes Incorporated
DF1510M
Diodes Incorporated
T483A
Sensata-Crydom
M5060TB1400
Sensata-Crydom
M50100SB1200
Sensata-Crydom
M50100SB1600
Sensata-Crydom
M50100SB1000
Sensata-Crydom
M50100SB200
Sensata-Crydom
M50100SB800
Sensata-Crydom
EFE13C
Sensata-Crydom
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A100T-1FG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3DQI
Microchip Technology
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C1N
Intel
LFEC33E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EQC208-3
Intel