casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DB104-BP
codice articolo del costruttore | DB104-BP |
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Numero di parte futuro | FT-DB104-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB104-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DB-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB104-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB104-BP-FT |
MB10M-BP
Micro Commercial Co
MB251W-BP
Micro Commercial Co
MB3510W-BP
Micro Commercial Co
MB154W-BP
Micro Commercial Co
MB1505W-BP
Micro Commercial Co
MB1505W
Micro Commercial Co
MB1510W
Micro Commercial Co
MB1510W-BP
Micro Commercial Co
MB151W
Micro Commercial Co
MB151W-BP
Micro Commercial Co
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel