codice articolo del costruttore | DB102G |
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Numero di parte futuro | FT-DB102G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB102G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB102G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB102G-FT |
RDBF158U-13
Diodes Incorporated
RDBF251-13
Diodes Incorporated
RDBF252-13
Diodes Incorporated
RDBF254-13
Diodes Incorporated
RDBF256-13
Diodes Incorporated
RDBF258-13
Diodes Incorporated
RDBF31-13
Diodes Incorporated
RDBF32-13
Diodes Incorporated
RDBF34-13
Diodes Incorporated
RDBF36-13
Diodes Incorporated
EPF8282ATC100-4
Intel
EP1M120F484C7
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
LFXP2-30E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9A6U19C7N
Intel
EP2S90F1508I4N
Intel
EP2SGX30DF780I4
Intel
EPF10K30AQI240-3
Intel
5SGSMD3H2F35C2L
Intel