casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / RDBF32-13
codice articolo del costruttore | RDBF32-13 |
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Numero di parte futuro | FT-RDBF32-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RDBF32-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RDBF32-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RDBF32-13-FT |
DF208-G
Comchip Technology
GBU2504 D2
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU2506 D2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL402G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL404G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL405G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL406G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL407G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL605G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL606G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel