casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / D6001N50TXPSA1
codice articolo del costruttore | D6001N50TXPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-D6001N50TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D6001N50TXPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 5000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8010A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 6000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400mA @ 5000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AE |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 160°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D6001N50TXPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D6001N50TXPSA1-FT |
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation