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codice articolo del costruttore | D12352TE20V |
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Numero di parte futuro | FT-D12352TE20V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H8® H8S/2300 |
D12352TE20V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | H8S/2000 |
Dimensione del nucleo | 16-Bit |
Velocità | 20MHz |
Connettività | SCI, SmartCard |
periferiche | DMA, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 87 |
Dimensione della memoria del programma | - |
Programma tipo di memoria | ROMless |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 8K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 4.5V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 8x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 75°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP |
120-TQFP (14x14) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D12352TE20V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D12352TE20V-FT |
DF2161BVT10V
Renesas Electronics America
DF2166VT33V
Renesas Electronics America
DF2167VT33V
Renesas Electronics America
DF2168VT33V
Renesas Electronics America
R4F2164VTE34V
Renesas Electronics America
DF2117RVPT20HV
Renesas Electronics America
DF2117RVT20HV
Renesas Electronics America
DF2117RVT20IHV
Renesas Electronics America
DF2117VT20IHV
Renesas Electronics America
DF2117VT20V
Renesas Electronics America
A1425A-1PQ100C
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1VQ100T
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672I6
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQI240-2N
Intel