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codice articolo del costruttore | DF2161BVT10V |
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Numero di parte futuro | FT-DF2161BVT10V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H8® H8S/2100 |
DF2161BVT10V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | H8S/2000 |
Dimensione del nucleo | 16-Bit |
Velocità | 10MHz |
Connettività | Host Interface (LPC), I²C, IrDA, SCI, X-Bus |
periferiche | PWM, WDT |
Numero di I / O | 114 |
Dimensione della memoria del programma | 128KB (128K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 4K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 8x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 75°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-TQFP |
144-TQFP (16x16) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2161BVT10V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF2161BVT10V-FT |
R5F2M120ADSP#U0
Renesas Electronics America
R5F2M120ANSP#U0
Renesas Electronics America
R5F2M120ANSP#W4
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Renesas Electronics America
R5F2M121ANSP#U0
Renesas Electronics America
R5F2M121ANSP#W4
Renesas Electronics America
R5F2M122ADSP#U0
Renesas Electronics America
R5F2M122ADSP#W4
Renesas Electronics America
R5F2M122ANSP#W4
Renesas Electronics America
R5F21183SP#U0
Renesas Electronics America
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEABN3F45I3LN
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
EP2SGX60EF1152C3
Intel
A42MX24-PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation