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codice articolo del costruttore | D12321VTE20V |
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Numero di parte futuro | FT-D12321VTE20V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H8® H8S/2300 |
D12321VTE20V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | H8S/2000 |
Dimensione del nucleo | 16-Bit |
Velocità | 20MHz |
Connettività | SCI, SmartCard |
periferiche | POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 86 |
Dimensione della memoria del programma | - |
Programma tipo di memoria | ROMless |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 4K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 8x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 75°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP |
120-TQFP (14x14) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D12321VTE20V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D12321VTE20V-FT |
R5F72867N100FA#U2
Renesas Electronics America
HD64F7065AF60V
Renesas Electronics America
R5F72167ADFA#V1
Renesas Electronics America
DF2166VT33WV
Renesas Electronics America
DF2117RVT20V
Renesas Electronics America
R4F2113NFT#U0
Renesas Electronics America
DF2117VT20HV
Renesas Electronics America
DF2161BVT10V
Renesas Electronics America
DF2166VT33V
Renesas Electronics America
DF2167VT33V
Renesas Electronics America
A1425A-1PQ100C
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1VQ100T
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672I6
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQI240-2N
Intel