casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C25682KV18-550BZXI
codice articolo del costruttore | CY7C25682KV18-550BZXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C25682KV18-550BZXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C25682KV18-550BZXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Dimensione della memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frequenza di clock | 550MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25682KV18-550BZXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C25682KV18-550BZXI-FT |
S34MS02G100TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G204TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFI003
Cypress Semiconductor Corp
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel