casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS04G100TFI003
codice articolo del costruttore | S34MS04G100TFI003 |
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Numero di parte futuro | FT-S34MS04G100TFI003 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-1 |
S34MS04G100TFI003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS04G100TFI003 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS04G100TFI003-FT |
S29JL032J60TFI323
Cypress Semiconductor Corp
S29JL032J60TFI410
Cypress Semiconductor Corp
S29JL032J60TFI413
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S29JL032J60TFI423
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S29JL032J70TFI413
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S29JL064J60TFI003
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S34ML01G100TFA003
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S34ML01G100TFB000
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S34ML01G100TFB003
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S34ML01G100TFI003
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