casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C199D-25SXET
codice articolo del costruttore | CY7C199D-25SXET |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C199D-25SXET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C199D-25SXET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C199D-25SXET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C199D-25SXET-FT |
M27C512-90B6
STMicroelectronics
NM27C128N120
ON Semiconductor
NM27C128N150
ON Semiconductor
NM27C256N120
ON Semiconductor
NM27C256N150
ON Semiconductor
NM27C256N200
ON Semiconductor
NM27C256NE150
ON Semiconductor
NM27C512N120
ON Semiconductor
NM27C512N150
ON Semiconductor
NMC27C64N150
ON Semiconductor
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel