casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NM27C512N150
codice articolo del costruttore | NM27C512N150 |
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Numero di parte futuro | FT-NM27C512N150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C512N150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - OTP |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 150ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-DIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C512N150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NM27C512N150-FT |
STK14D88-RF35
Cypress Semiconductor Corp
STK14D88-RF35I
Cypress Semiconductor Corp
STK14D88-RF35ITR
Cypress Semiconductor Corp
STK14D88-RF35TR
Cypress Semiconductor Corp
STK14D88-RF45
Cypress Semiconductor Corp
STK14D88-RF45I
Cypress Semiconductor Corp
STK14D88-RF45ITR
Cypress Semiconductor Corp
STK14D88-RF45TR
Cypress Semiconductor Corp
STK17T88-RF25
Cypress Semiconductor Corp
STK17T88-RF25I
Cypress Semiconductor Corp
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel