casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY62147GN30-45BVXI
codice articolo del costruttore | CY62147GN30-45BVXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY62147GN30-45BVXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62147GN30-45BVXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.2V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-VFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147GN30-45BVXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY62147GN30-45BVXI-FT |
DS1225Y-150IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-200+
Maxim Integrated
DS1230AB-200IND
Maxim Integrated
CY7C1021BNV33L-15BAI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C10212CV33-12BAXET
Cypress Semiconductor Corp
CY62136VNLL-70BAXA
Cypress Semiconductor Corp
CY62136VNLL-70BAXAT
Cypress Semiconductor Corp
CY62137CVSL-70BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY62137CVSL-70BAXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C10212CV33-12BAXE
Cypress Semiconductor Corp
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel