casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1230AB-200IND
codice articolo del costruttore | DS1230AB-200IND |
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Numero di parte futuro | FT-DS1230AB-200IND |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230AB-200IND Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 200ns |
Tempo di accesso | 200ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-200IND Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1230AB-200IND-FT |
MR2A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0D08BMA45R
Everspin Technologies Inc.
MR0DL08BMA45
Everspin Technologies Inc.
MR0DL08BMA45R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel