casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY62147GN30-45BVXIT
codice articolo del costruttore | CY62147GN30-45BVXIT |
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Numero di parte futuro | FT-CY62147GN30-45BVXIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62147GN30-45BVXIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.2V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-VFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147GN30-45BVXIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY62147GN30-45BVXIT-FT |
DS1225Y-200+
Maxim Integrated
DS1230AB-200IND
Maxim Integrated
CY7C1021BNV33L-15BAI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C10212CV33-12BAXET
Cypress Semiconductor Corp
CY62136VNLL-70BAXA
Cypress Semiconductor Corp
CY62136VNLL-70BAXAT
Cypress Semiconductor Corp
CY62137CVSL-70BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY62137CVSL-70BAXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C10212CV33-12BAXE
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1021BNV33L-15BAIT
Cypress Semiconductor Corp
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel