casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY62146GE30-45BVXI
codice articolo del costruttore | CY62146GE30-45BVXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY62146GE30-45BVXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62146GE30-45BVXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.2V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-VFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62146GE30-45BVXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY62146GE30-45BVXI-FT |
DS1245AB-85+
Maxim Integrated
DS1250AB-100+
Maxim Integrated
DS1249AB-70IND#
Maxim Integrated
DS1249Y-70IND#
Maxim Integrated
DS1250W-100+
Maxim Integrated
DS1250AB-100IND+
Maxim Integrated
DS1250Y-100IND+
Maxim Integrated
DS1245Y-100+
Maxim Integrated
DS1249AB-100
Maxim Integrated
DS1249AB-85
Maxim Integrated
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel