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codice articolo del costruttore | CV201210-100K |
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Numero di parte futuro | FT-CV201210-100K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CV201210 |
CV201210-100K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 15mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.15 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 24MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-100K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CV201210-100K-FT |
CW160808-47NG
Bourns Inc.
CW160808-47NJ
Bourns Inc.
CW160808-4N7D
Bourns Inc.
CW160808-4N7K
Bourns Inc.
CW160808-56NG
Bourns Inc.
CW160808-56NJ
Bourns Inc.
CW160808-68NG
Bourns Inc.
CW160808-68NJ
Bourns Inc.
CW160808-6N8J
Bourns Inc.
CW160808-72NJ
Bourns Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel