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Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M621H BK

Name: CTLDM8120-M621H BK
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: CTLDM8120-M621H BK
Availability: InStock
Rating: 4.6 (738 reviews)

Numero parte MFG: CTLDM8120-M621H BK

quantità disponibile: 13650 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Central Semiconductor Corp

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 20V DFN6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: CTLDM8120-M621H BK.pdf

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CTLDM8120-M621H BK specificazioni

codice articolo del costruttore	CTLDM8120-M621H BK
Numero di parte futuro	FT-CTLDM8120-M621H BK
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
CTLDM8120-M621H BK Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	950mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.56nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TLM621H
Pacchetto / caso	6-XFDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CTLDM8120-M621H BK Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	CTLDM8120-M621H BK-FT

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