casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / CTLDM303N-M832DS TR
codice articolo del costruttore | CTLDM303N-M832DS TR |
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Numero di parte futuro | FT-CTLDM303N-M832DS TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CTLDM303N-M832DS TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.65W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | TLM832DS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLDM303N-M832DS TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTLDM303N-M832DS TR-FT |
DMP2065UFDB-7
Diodes Incorporated
DMN3032LFDBQ-7
Diodes Incorporated
DMP2060UFDB-7
Diodes Incorporated
DMC1028UFDB-13
Diodes Incorporated
DMC1029UFDB-13
Diodes Incorporated
DMC1030UFDB-13
Diodes Incorporated
DMC1229UFDB-13
Diodes Incorporated
DMC1229UFDB-7
Diodes Incorporated
DMC2041UFDB-13
Diodes Incorporated
DMC2041UFDB-7
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel