casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CSICD05-1200 BK
codice articolo del costruttore | CSICD05-1200 BK |
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Numero di parte futuro | FT-CSICD05-1200 BK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CSICD05-1200 BK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 190µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 240pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSICD05-1200 BK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSICD05-1200 BK-FT |
CGRM4004-HF
Comchip Technology
CGRM4005-HF
Comchip Technology
CGRM4001-G
Comchip Technology
CFRM103-G
Comchip Technology
CDSQR400B
Comchip Technology
CDSQR4148
Comchip Technology
CDSQR4448
Comchip Technology
CDBZ61045-HF
Comchip Technology
CDBZ5T30100-HF
Comchip Technology
CDBZ5T1045-HF
Comchip Technology
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel