casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDSQR4448
codice articolo del costruttore | CDSQR4448 |
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Numero di parte futuro | FT-CDSQR4448 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDSQR4448 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 125mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 9ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 0.5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0402/SOD-923F |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDSQR4448 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDSQR4448-FT |
1N5407-G
Comchip Technology
1N5404-G
Comchip Technology
SB360E-G
Comchip Technology
SB560ET-G
Comchip Technology
1N5400-G
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1N5400T-G
Comchip Technology
1N5402-G
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1N5402T-G
Comchip Technology
1N5406-G
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1N5406T-G
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EP20K30EFC144-2X
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XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
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LFE2M35SE-6FN484C
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5CGXFC4C6F23I7N
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EP2AGX65DF29C6
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