casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDSQR4448
codice articolo del costruttore | CDSQR4448 |
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Numero di parte futuro | FT-CDSQR4448 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDSQR4448 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 125mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 9ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 0.5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0402/SOD-923F |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDSQR4448 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDSQR4448-FT |
1N5407-G
Comchip Technology
1N5404-G
Comchip Technology
SB360E-G
Comchip Technology
SB560ET-G
Comchip Technology
1N5400-G
Comchip Technology
1N5400T-G
Comchip Technology
1N5402-G
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1N5402T-G
Comchip Technology
1N5406-G
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1N5406T-G
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LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
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M2GL010TS-1FG484I
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APA750-PQ208
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EP3CLS70F484I7
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10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel