casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CS2M-E3/I
codice articolo del costruttore | CS2M-E3/I |
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Numero di parte futuro | FT-CS2M-E3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CS2M-E3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CS2M-E3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CS2M-E3/I-FT |
SS24SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel