casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / CNY17F4TVM
codice articolo del costruttore | CNY17F4TVM |
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Numero di parte futuro | FT-CNY17F4TVM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CNY17F4TVM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 4170Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 160% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 320% @ 10mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 2µs, 3µs |
Rise / Fall Time (Typ) | 4µs, 3.5µs (Max) |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 70V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.35V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17F4TVM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CNY17F4TVM-FT |
CNY17-3-W60E
Broadcom Limited
CNY17-4-W00E
Broadcom Limited
CNY17-4-W60E
Broadcom Limited
4N32TVM
ON Semiconductor
CNY17F3TVM
ON Semiconductor
H11AA1TVM
ON Semiconductor
4N25300W
ON Semiconductor
4N25TM
ON Semiconductor
4N25TVM
ON Semiconductor
4N25W
ON Semiconductor
EPF10K10TC144-3N
Intel
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29C1N
Intel
XC5VLX220-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FBG484I
Xilinx Inc.
EPF6016AQI208-2
Intel
EP4SGX360HF35C4N
Intel