casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CMMSH1-40G TR
codice articolo del costruttore | CMMSH1-40G TR |
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Numero di parte futuro | FT-CMMSH1-40G TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMMSH1-40G TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123F |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMMSH1-40G TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMMSH1-40G TR-FT |
RFU02VSM8STR
Rohm Semiconductor
RRE07VSM4STR
Rohm Semiconductor
RRE02VSM4STR
Rohm Semiconductor
RRE02VTM4SFHTR
Rohm Semiconductor
RRE02VTM6SFHTR
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RRE07VTM4SFHTR
Rohm Semiconductor
RRE07VTM6SFHTR
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RB411DT146
Rohm Semiconductor
RB491DT146
Rohm Semiconductor
RB400DT146
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XC3SD3400A-4CS484C
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XC2S50-6FG256C
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M1A3P600-2FG484
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A3P600-1FGG256
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EP4SE360H29I3N
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XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel