casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RRE07VTM4SFHTR
codice articolo del costruttore | RRE07VTM4SFHTR |
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Numero di parte futuro | FT-RRE07VTM4SFHTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RRE07VTM4SFHTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 700mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 700mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | TUMD2SM |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RRE07VTM4SFHTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RRE07VTM4SFHTR-FT |
RB068LAM-30TFTR
Rohm Semiconductor
RB068LAM-30TR
Rohm Semiconductor
RB068LAM-40TFTR
Rohm Semiconductor
RB068LAM-40TR
Rohm Semiconductor
RB068LAM-60TFTR
Rohm Semiconductor
RB068LAM-60TR
Rohm Semiconductor
RB068LAM100TFTR
Rohm Semiconductor
RB068LAM150TFTR
Rohm Semiconductor
RB068LAM150TR
Rohm Semiconductor
RB080LAM-30TFTR
Rohm Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel