casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / CMKT2222A TR
codice articolo del costruttore | CMKT2222A TR |
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Numero di parte futuro | FT-CMKT2222A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMKT2222A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMKT2222A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMKT2222A TR-FT |
ZXT12N50DXTC
Diodes Incorporated
ZXT12N20DXTC
Diodes Incorporated
ZXT12P12DXTC
Diodes Incorporated
ZXT12P20DXTA
Diodes Incorporated
ZXT12P20DXTC
Diodes Incorporated
ZXT12P40DXTC
Diodes Incorporated
DSS5160FDB-7
Diodes Incorporated
DSS45160FDB-7
Diodes Incorporated
DSS4160FDB-7
Diodes Incorporated
MMDT5551-7-F
Diodes Incorporated
XC3S250E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
XC7A100T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel