casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / DSS4160FDB-7
codice articolo del costruttore | DSS4160FDB-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DSS4160FDB-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSS4160FDB-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 405mW |
Frequenza - Transizione | 175MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS4160FDB-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSS4160FDB-7-FT |
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5SGSED8N3F45I4N
Intel
XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C7
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel