casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CMH04(TE12L,Q,M)
codice articolo del costruttore | CMH04(TE12L,Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-CMH04(TE12L,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMH04(TE12L,Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-128 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M-FLAT (2.4x3.8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMH04(TE12L,Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMH04(TE12L,Q,M)-FT |
1N6651
Microsemi Corporation
DZ435N40KHPSA1
Infineon Technologies
DZ435N40KS01HPSA1
Infineon Technologies
JAN1N5310-1
Microsemi Corporation
NGTD17R120F2SWK
ON Semiconductor
UFT3130C
Microsemi Corporation
MF10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel