casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CMH02A(TE12L,Q,M)
codice articolo del costruttore | CMH02A(TE12L,Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-CMH02A(TE12L,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMH02A(TE12L,Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-128 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M-FLAT (2.4x3.8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMH02A(TE12L,Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMH02A(TE12L,Q,M)-FT |
1N4549A
Microsemi Corporation
1N6651
Microsemi Corporation
DZ435N40KHPSA1
Infineon Technologies
DZ435N40KS01HPSA1
Infineon Technologies
JAN1N5310-1
Microsemi Corporation
NGTD17R120F2SWK
ON Semiconductor
UFT3130C
Microsemi Corporation
MF10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel