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codice articolo del costruttore | CM600DU-5F |
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Numero di parte futuro | FT-CM600DU-5F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
CM600DU-5F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600A |
Potenza - Max | 1100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 10V, 600A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 170nF @ 10V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM600DU-5F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CM600DU-5F-FT |
MIXA60W1200TED
IXYS
MIXA60WB1200TEH
IXYS
MKI100-12F8
IXYS
MKI50-06A7
IXYS
MKI50-06A7T
IXYS
MKI50-12F7
IXYS
MKI65-06A7T
IXYS
MKI75-06A7
IXYS
MKI75-06A7T
IXYS
MKI80-06T6K
IXYS
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation