casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIH03T2N4SNC
codice articolo del costruttore | CIH03T2N4SNC |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIH03T2N4SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03T |
CIH03T2N4SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.4nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 200mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 250 mOhm Max |
Q @ Freq | 5 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 7.5GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03T2N4SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH03T2N4SNC-FT |
CIL10S270KNC
Samsung Electro-Mechanics
CIL10S330KNC
Samsung Electro-Mechanics
CIL10Y120KNC
Samsung Electro-Mechanics
CIL10Y5R6KNC
Samsung Electro-Mechanics
CIL10Y6R8KNC
Samsung Electro-Mechanics
CIL10Y8R2KNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03Q18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T15NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T3N9SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel