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codice articolo del costruttore | CIH03Q1N3SNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH03Q1N3SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03Q |
CIH03Q1N3SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.3nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 420mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 22 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 10GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0201 (0603 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.013" (0.33mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N3SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH03Q1N3SNC-FT |
CIGT201208UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR16MNE
Samsung Electro-Mechanics
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation